變頻器在使用過(guò)程中,需要實(shí)施定期的保養(yǎng)和巡檢,才能使其可以長(zhǎng)久穩(wěn)定的工作,延長(zhǎng)使用壽命,也能避免變頻器突然損壞造成的損失。
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閱讀更多變頻器IGBT模塊燒毀往往是因?yàn)槟K被錯(cuò)誤觸發(fā),而導(dǎo)致直流母線經(jīng)模塊短路,從而燒毀IGBT逆變模塊,并有可能進(jìn)而燒毀保險(xiǎn)以及整流模塊。如西門(mén)子MM430系列變頻器沒(méi)有配置保險(xiǎn),IGBT模塊燒毀,整流模塊基本上也會(huì)被燒毀。
閱讀更多變頻器故障無(wú)法運(yùn)行,在維修過(guò)程中,經(jīng)常出現(xiàn)充電電阻損壞的情況。可以測(cè)量變頻器接線端子P1、P(+)兩點(diǎn)間的電阻值,如果無(wú)窮大即為電阻開(kāi)路。
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變頻器包括整流電路和逆變電路,輸入的交流電經(jīng)過(guò)整流電路和平波回路,轉(zhuǎn)換成直流電壓,再通過(guò)逆變器把直流電壓變換成不同寬度的脈沖電壓(稱(chēng)為脈寬調(diào)制電壓,PWM)。用這個(gè)PWM電壓驅(qū)動(dòng)電機(jī),就可以起到調(diào)整電機(jī)力矩和速度的目的。 但同樣,變頻器的工作原理注定其會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾,主要包括三種:
閱讀更多IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱(chēng)絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達(dá)林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),具備易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn),已逐步取代晶閘管和GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管),是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件,也是變頻器的重要元件之一。
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